Чем отличается ddr3 от ddr3l. В чем разница в типах оперативной памяти DDR3 и DDR3L

DDR3 vs DDR4. Кто круче?

Добрый день, уважаемые читатели. У многих возникает вопрос, какую оперативную память выбрать DDR3 или DDR4 ? В чем отличие между ними и что лучше подходит для игр? Сегодня мы разберемся во всех этих вопросах и затронем сопутствующие вопросы по этой теме. Мы, конечно, уже разбирались в вопросе, но сегодня подробнее остановимся именно на этих двух типах памяти. Почему? Потому что не все могут с легкостью определиться в выборе. Мы поможем!

Как известно, технология DDR4 появилась на рынке вместе с процессорами 6-го поколения от Интел под кодовым названием SkyLake (небесное озеро). Соответственно использовать DDR4 желательно только с новыми процессорами 6-го и 7-го поколения (и выше).

А вот с какого поколения процессоры начнут поддерживать пока не известно.

Чем отличается DDR3 от DDR4?

Вы, скорее всего, знаете, что оперативная память развивается не так быстро, как процессоры. Новое поколение процессоров выходит практически каждый год, а вот оперативная память DDR3 прочно оккупировала рынок уже с далекого 2007 года. Точнее в 2007 она появилась, а в 2010 вытеснила DDR2. Теперь давайте поговорим про основные отличия памяти DDR4 от предыдущего поколения.

Технически, конечно же, новое поколение оперативной памяти более совершенно (спасибо кэп =D). Во-первых, снижено энергопотребление (и теплоотдача соответственно). Планка памяти DDR3 имела напряжение 1,5-2 Вольта, а у DDR4 напряжение снижено до 1,05-1,2 Вольта. Хотя это больше ощутимо для серверов, чем для домашних зверьков. Во-вторых, увеличен частотный диапазон. DDR3 работал на частотах от 800Мгц до 2933Мгц, а DDR4 начинает диапазон на частоте 2133Мгц и заканчивает пока на 4400Мгц , но, видимо, это еще не предел. Судите сами, насколько значительнее будет разница в производительности такой памяти.

DDR3 – от 800 до 2933Мгц

DDR4 – от 2133 до 4400Мгц+

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4 или наоборот?

Многие люди задаются вопросом совместимости этих двух типов оперативной памяти. Ну какая может быть совместимость DDR3 и DDR4? О чем вы вообще? Если вы посмотрите внимательно на форму самих планок ОЗУ, то вы увидите, что они немного отличаются. Каждое поколение ОЗУ (DDR, DDR2, DDR3 и DDR4) специального немного отличается от остальных. Выемка (ключ), которая расположена на стороне с контактами, на каждом типе памяти находится в разном месте, тем самым препятствуя попыткам вставить планку не в свое гнездо.

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4?

• Вставить планку ОЗУ DDR3 в слот DDR4 нельзя!
• Вставить планку ОЗУ DDR4 в слот DDR3 нельзя, соответственно, тоже!

Есть, правда, один нюанс. Бывает такое, что материнская плата имеет отдельные слоты под память DDR3 и под DDR4. Допустим, вы решили апгрейдить компьютер. Извлекаете память DDR3 из своих слотов и вставляете DDR4 в ДРУГИЕ слоты , в те, которые предназначены именно для оперативки DDR4 . По-другому никак!

Если вы вдруг осознали, что вам не хватает ОЗУ на компьютере, то ознакомьтесь с нашими советами на этот счет в статье, которая поможет физически и не только.

DDR3 или DDR4, что лучше?

Вопрос с подвохом. Вроде бы уже все выяснили, что DDR4 новее, быстрее и экономичнее, а тут такой вопрос. И все же давайте выясним, что лучше?

А подвох тут вот в чем! Если взять, например, DDR3 2400Мгц и DDR4 2400Мгц , то в этой схватке одержит победу….. одержит победу… отгадайте кто?… DDR3 ! Почему так происходит? В ОЗУ существует такая характеристика как тайминг задержки. Выглядит она примерно так 9-9-9-24 или 9-10-10-24. В общем, чем этот показатель ниже, тем выше скорость оперативной памяти.

И случилось так, что в силу своей архитектуры DDR4 имеет тайминги выше, чем у DDR3. Именно поэтому при одинаковых частотах в тестах DDR4 немножко проигрывает памяти DDR3. Но стоит только взять память DDR4 с частотой 3200 или 4000 Мгц, как вы заметите огромную разницу в пользу DDR4!

Вот теперь и думайте, что лучше DDR3 или DDR4? Все зависит от многих факторов. Например, какую частоту оперативной памяти поддерживает ваша , есть ли в ней потенциал для дальнейшего .

Лучшая оперативная память (из DDR3 и DDR4)

Давайте заглянем в несколько интернет магазинов и попробуем определить какие планки (наборы) ОЗУ могут претендовать на звание «Лучшая оперативная память » в текущем 2018 году. Мы рассмотрим лучших представителей из DDR3 и DDR4 типов и приведем в таблице основные параметры и фирму-производителя. Смотрите и анализируйте.

DDR4

DDR3

Исходя из приведенных в таблицах данных, не скажу, что выбор между двумя поколениями оперативной памяти стал более очевиден. Все осталось так же неявно, как и было. В DDR4 увеличились частоты, но вместе с ними увеличились и тайминги задержки. Если не понятно, как вычислялась производительность, то в статье про вы сможете узнать об этом расчете подробнее. Конечно же, этот коэффициент не идеален, но это лучше, чем ничего.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 и DDR3L

В общем, единственным отличием между DDR3 и DDR3L является то, что DDR3 работает под напряжением 1,5 Вольт, а DDR3L – 1,35 Вольт. То есть она немного экономней. Про совместимость и взаимозаменяемость можно сказать следующее – можно вставить DDR3L в слот DDR3, все подойдет и будет работать. Также в большинстве случаев DDR3 и DDR3L смогут работать одновременно, но не всегда. Если хотите сэкономить, то только на свой страх и риск.

Вы дочитали до самого конца?

Была ли эта статья полезной?

Да Нет

Что именно вам не понравилось? Статья была неполной или неправдивой?
Напишите в клмментариях и мы обещаем исправиться!

Оперативное запоминающее устройство, или ОЗУ, - это микросхемы для оперативного или временного хранения информации . Информация в ОЗУ сохраняется, пока на микросхему подается питание. При отключении питания информация теряется. Введи здесь текст

В англоязычной технической литературе такие устройства называют RAM - Random Access Memory, или памятью произвольного доступа.

Статические и динамические ОЗУ

Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.

Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер. Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны - когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот. Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.

Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный - 0. В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе. Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.

Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят - регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM - Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса - переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей - печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа - SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module - означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM - модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез - ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти - объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency - задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько - иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются , используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 - частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП . Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой - закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается .

• DDR - 2, 5 В.
• DDR2 - 1, 8 В.
• DDR3 - 1, 5 В.
• DDR4 - 1, 2 В.

В чем отличие DDR3 и DDR3l

На рынке можно найти модули с микросхемами DDR3l и DDR3. Разница в том, что DDR3L - это модернизированная версия DDR3. L- означает Low или по-русски низкий, пониженный. Микросхемы DDR3l могут работать на пониженном напряжении 1,35 В. Но могут работать и при обычном для DDR3 напряжении 1,5 В. Лучше использовать соответствующие модули по своему прямому назначению.

DDR3L может устанавливаться вместо DDR3, а наоборот - нет. Если напряжения питания модулей памяти равно 1,35 в, то такая материнская плата предполагает использование только модулей DDR3L, и установка обычных модулей DDR3 невозможна.

За последние несколько лет мобильные процессоры сделали большой шаг в развитии, благодаря чему на рынке сохраняется довольно высокая популярность ноутбуков, неттопов и других компактных конфигураций. Поэтому вполне логично, что у многих пользователей возникает вопрос: «Зачем покупать громоздкий и шумный ПК, если можно обойтись тихим и компактным вариантом системы?». Особенно это актуально для тех, чей круг задач ограничивается серфингом в интернете, работой с офисными приложениями и просмотром фильмов.

Однако, как и любой другой конфигурации, компактной системе также необходимо быть сбалансированной. То есть ее компоненты не должны ограничивать возможности друг друга. Причем это касается абсолютно всех комплектующих, в том числе и оперативной памяти. Как правило, над ее выбором редко когда задумываются, ошибочно предполагая, что все комплекты одинаковые. Но, как и полноразмерные модули памяти, их компактные аналоги отличаются объемом, эффективной частотой работы и набором задержек. Все эти характеристики в большей или меньшей степени влияют на общую производительность системы. Поэтому исследование возможностей наборов оперативной памяти для компактных систем также является довольно актуальной задачей, особенно в наше время.

В данном обзоре мы познакомимся с комплектом DDR3L-1600 Transcend TS512 MSK64 W6 H . Его модули принадлежат к энергоэффективной серии, то есть способны работать при пониженном напряжении. Учитывая, что большинство компактных систем питаются от внешних адаптеров мощностью до 100 Вт, то перед их комплектующими ставятся более жесткие требования в плане энергопотребления. Если же говорить о ноутбуках, то энергоэффективность компонентов и вовсе является чуть ли не определяющим фактором.

Спецификация:

Упаковка и внешний вид модулей

Комплект DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H состоит из двух модулей, каждый из которых поставляется в отдельном пластиковом пакете. Такая упаковка обеспечивает их надежную защиту от пробоя статического электричества. При установке модулей также необходимо принять меры для предотвращения разряда статического электричества, о чем напоминает надпись на наклейке.

Память DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H принадлежит к типу SO-DIMM. По сравнению с обычными планками, SO-DIMM-модули уменьшены в размерах, так как зачастую используются в компактных устройствах: ноутбуках, неттопах и мини-компьютерах, построенных на основе материнских плат формата Thin-ITX / Mini-ITX. Длина модуля составляет всего лишь 67,6 мм, а высота - 30 мм.

Сами планки выполнены на текстолите зеленого цвета, с обеих сторон которого прикреплено по 4 чипа памяти. Отдельной системы охлаждения здесь не предусмотрено, что объясняется, во-первых, жестким ограничением размеров, а во-вторых - малым нагревом во время работы. Ведь изначально на память DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H подается пониженное напряжение питания 1,35 В.

Во время тестирования комплекта под продолжительной нагрузкой температура модулей составила 40,5°С, что примерно на 10°С ниже, чем у полноразмерных планок стандарта DDR3, работающих при напряжении 1,5 В. Как видим, разница довольно существенная. На всякий случай отметим, что согласно спецификации, максимальная температура воздуха, при которой набор DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H разрешается эксплуатировать, составляет 95°С.

Память каждого модуля набрана с помощью 8-ми чипов объемом 512 МБ каждый, производства компании Micron. На одной планке используются микросхемы с маркировкой D9QVG, а на второй - , которые отличаются между собой только ревизией. Судя по официальной документации, установленные чипы имеют скрытый потенциал. Поскольку среди прочих режимов работы числится и DDR3-1866 при таймингах 13-13-13. Иными словами, вместо заявленных 1600 МГц модули памяти DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H теоретически могут функционировать и на частоте 1866 МГц.

Идентифицировать микросхему SPD EEPROM по маркировке «4026 8305» не удалось.

На наклейке, обнаруженной на модулях памяти, имеется минимум информации. Указаны лишь эффективная скорость работы (1600 МГц), объем одного модуля (4 ГБ) и его конфигурация (1 ранг х 8 банков).

Более полную техническую информацию, как всегда, можно получить с помощью специальных утилит. Мы отказались от использования популярных программ AIDA64 и CPU-Z, так как они интерпретируют информацию из SPD по старому алгоритму и не всегда корректно. Чтобы избежать появления возможных неточностей, было решено задействовать утилиту Thaiphoon Burner, разработанную специально для диагностики модулей памяти. Ниже подан полный отчет о технических характеристиках модулей из комплекта памяти DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H.

Отметим возможность работы как при напряжении 1,35 В, так и при 1,5 В, вследствие чего значительно увеличивается их совместимость с доступными на рынке устройствами.

Тестирование

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Оппонентом в тестировании выступал набор памяти DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB объемом 4 ГБ (2 х 2 ГБ). Оба комплекта проходили тестирование в следующих режимах работы:

Анализ полученных графиков показал, что изменение параметров оперативной памяти влияет на быстродействие предложенной системы. Бенчмарк AIDA64 наглядно демонстрирует, что с увеличением скорости работы модулей существенно растет скорость копирования / записи / чтения из памяти. При переходе с частоты 1333 МГц на 1600 МГц эти показатели увеличились на 19% / 17% / 17% соответственно, а по сравнению со скоростью 1066 МГц прирост уже составлял 47% / 52% / 46%.

В остальных тестах увеличение производительности системы было значительно ниже и составляло примерно 3-10%. Что касается игровых приложений, то, несмотря на использование встроенного графического ядра, они практически никак не «отреагировали» на увеличение скорости памяти.

Если же сравнивать модули DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H и DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB, то оба комплекта шли «ноздря в ноздрю» и во всех тестах в одинаковых режимах работы демонстрировали сопоставимые результаты.

Разгон

Поскольку материнская плата Intel DQ77KB не позволяет поднять частоту оперативной памяти выше 1600 МГц, мы решили провести оптимизацию параметров модулей DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H на уровне задержек.

При той же скорости работы (1600 МГц) стандартный набор таймингов 11-11-11-28 был изменен на 10-10-10-25. Правда, при этом пришлось увеличить напряжение питания с 1,35 до 1,5 В.

На быстродействии системы такие манипуляции с параметрами памяти сказались следующим образом.

Средний прирост производительности составил всего лишь 1,84%, что, конечно же, не много. В реальных приложениях эта прибавка останется незамеченной и практически никак не повлияет на скорость выполнения подавляющего большинства задач. Исключением являются лишь некоторые игры и синтетические тесты.

Частота 1600 МГц, задержки - 11-11-11-28

Частота - 1600 МГц, задержки - 10-10-10-25

Как подтверждение этой мысли приводим результаты из оверклокерского бенчмарка SuperPi (32M), снятые до и после разгона оперативной памяти. Как видим, время прохождения теста немного улучшилось.

Чтобы убедиться в стабильности функционирования модулей после оптимизации параметров их работы, было использовано стандартное средство проверки памяти операционной системы Windows 7. После 36-ти циклов теста никаких ошибок не выявлено, что позволяет говорить об удачном разгоне и стабильной работе всей системы. Во время прохождения эксперимента мы также решили измерить температуру модулей памяти, которая составила 42,2°С. Это всего лишь на 1,7°С больше, чем в номинальном режиме работы.

Выводы

Если вы хотите собрать компактную, но в тоже время и производительную систему, или обновить игровой ноутбук, то комплект памяти DDR3L-1600 Transcend TS512 MSK64 W6 H будет отличным вариантом для этих целей. Он обеспечит объем 8 ГБ, что позволит держать в памяти одновременно несколько приложений или свернутую игру и быстро переключаться между ними. Эффективная частота модулей DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H составляет 1600 МГц, благодаря чему в некоторых случаях можно будет получить хоть и небольшое, но все же преимущество над аналогами, работающими на скорости 1333 МГц. При этом поддерживается напряжение питания 1,35 В и 1,5 В, что улучшает совместимость с компонентами системы, а также расширяет возможности памяти в плане оптимизации ее параметров. Как показала практика, даже простым понижением задержек можно в некоторых играх добиться 5%-ого прироста производительности (при использовании встроенного графического ядра). Однако никто не мешает вам производить разгон и по частоте, тем более что установленные здесь чипы Micron D9QVG / D9QBJ официально поддерживают скорость 1866 МГц.

Transcend за предоставленный для тестирования комплект памяти.

Выражаем благодарность компании Intel за предоставленное для тестового стенда оборудование.

Статья прочитана 16256 раз(а)

Современный рынок компьютерных комплектующих развивается столь стремительно, что даже продвинутые пользователи не успевают понять, в чем различие той или иной технологии, как уже появляется новая. Точно такая же ситуация с модулями оперативной памяти. Недавно еще все обсуждали преимущества "тройки" перед стандартной "двойкой", как уже появилась и "четверка", и улучшенная "тройка" с литерой L. Забраться в такие дебри IT-индустрии и не свернуть себе шею в хитросплетениях терминов и технологий может только очень подкованный в этой теме человек. Но нужно разобраться, какая разница между DDR3 и DDR3L. Начнем с истоков.

Суть стандарта DDR3

В отличие от устаревшей "двойки" в третьей версии емкость микросхем увеличена. Теперь она составляет 8 бит. Это не могло не сказаться положительно на производительности. Также вырос минимальный объем модулей - теперь он составляет 1 гигабайт. Меньше просто невозможно. Разница между DDR3 и DDR3L, которую мы рассмотрим чуть ниже, несущественна. Тут больше разницы между "двойкой" и "тройкой". И она заметна невооруженным глазом. Кстати, и энергопотребление снизилось, что сделало данный тип памяти более подходящим для мобильных компьютеров (ноутбуков).

"Тройка" - стандарт далеко не новый. Поэтому особо радоваться здесь нечему. DDR4 гораздо производительнее. Но, тем не менее, именно этот тип памяти наиболее распространен в наше время. DDR3 и DDR3L, разница в которых не так уж существенна, - однотипные модули. Но разобраться в том, что их отличает, стоит хотя бы для самообразования. Что ж, теперь рассмотрим характеристики "тройки" с литерой L.

DDR3L. Что нового?

По сути, в этой памяти все стандартно. Как в обычной "тройке". Но есть одно существенное различие - энергопотребление. В 3L оно равно 1,35 В. Для сравнения, обычная "тройка" потребляет 1,50 В. Это весьма существенно, если говорить о ноутбуках, нетбуках и ультрабуках, то есть о мобильных компьютерах. В их случае энергопотребление играет решающую роль, так как им нужно довольно продолжительное время работать от аккумулятора. Этим и отличаются DDR3 и DDR3L. Разница не такая уж заметная, но существенная.

В последнее время производители мобильных компьютеров используют только энергоэффективные модули "тройки". Поэтому стало возможно заставить ноутбуки работать от батареи дольше, чем это было раньше. Хоть показатели не особо и отличаются. DDR3 и DDR3L, разница в которых тут рассматривается, на данный момент самые приемлемые варианты для персональных компьютеров и ноутбуков. Теперь рассмотрим наиболее популярные модели.

Kingston 4GB DDR3 PC3-10600

Этот модуль прекрасно подходит для ноутбуков среднего ценового сегмента. Он работает на частоте 1333 мегагерц, рабочее напряжение составляет 1,35 В. Это и DDR3, и DDR3L, разница между которыми не особо существенна, в одном флаконе. Объем данной оперативной памяти составляет 4 гигабайта, что вполне достаточно для работы и графических приложений. Мультимедиа тоже будет работать отлично. Этот модуль выглядит идеальным по соотношению "цена-качество".

Как обычно, Kingston радует пользователей быстрой и качественной оперативной памятью. Но не стоит забывать и о практичности. Дело в том, что эта оперативка стоит довольно прилично по сравнению с ее техническими характеристиками. Поэтому ее покупка представляется сомнительной с точки зрения практичности. Нужно дважды подумать перед тем, как покупать сей модуль памяти. А в остальном - это отличная и долговечная оперативка, коих мало на современном рынке.

Samsung 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один модуль из самого среднего ценового сегмента. Эта оперативная память работает уже на частоте 1600 мегагерц и может даже использоваться для игр. Особенно производителен тандем из двух модулей такой памяти. Имеются "планки" DDR3 и DDR3L, разница между которыми-таки есть. Как и вся техника этой компании, модули памяти отличаются высочайшим качеством и непревзойденной надежностью. В настоящее время - это одни из лучших модулей на современном рынке компьютерных комплектующих.

Компания Samsung хорошо известна качественными смартфонами и другими устройствами. Но вот модули оперативной памяти ее специалисты могли бы сделать и получше. В них нет и тени легендарного корейского качества. Но работает память хорошо. Хоть и не выглядит особо крепкой или надежной. Кстати, она очень болезненно переносит разгон. Вплоть до самых печальных последствий. Так что подвергать ее подобной процедуре не стоит. Итак, продолжим. DDR3L и DDR3. Какая разница между ними?

Crucial 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один бюджетный модуль оперативной памяти стандарта 3L. Его рабочая частота составляет 1600 мегагерц. Рабочее напряжение - 1,35 В. Это стандартно для энергоэффективной памяти. Более ничем выдающимся этот модуль памяти не отличается. Вот только в двухканальном режиме он работает гораздо лучше своих предшественников. Два таких модуля способны заметно поднять производительность любого лэптопа. И в этом их главная заслуга. Стоит эта недорого. Поэтому она и является самой распространенной.

Это легендарный производитель модулей оперативной памяти. Все помнят его высокопроизводительные модели для геймерских компьютеров. Но и в бюджетном сегменте Crucial не ударили в грязь лицом. Модули получились производительными, надежными и энергоэффективными, что немаловажно для владельцев ноутбуков. Приятно, что легендарный производитель, наконец, развернулся лицом к любителям лэптопов.

Заключение

Итак, мы рассмотрели типы памяти DDR3 и DDR3L. Разница в них хоть и несущественная, но есть. И если вы когда-нибудь захотите поменять в своем ноутбуке оперативную память, то обязательно приобретайте энергоэффективный тип. Сегодня любой производитель компьютерных комплектующих производит такую оперативную память. Выше перечислены самые популярные и надежные модели. Но это ведь далеко не все.

Оперативно запоминающее устройство (ОЗУ) – модуль временной памяти, который используется в компьютерной архитектуре для хранения определенного набора команд и информации. обеспечивает стабильную и надежную работу операционной системы и запущенных программ и приложений.

С развитием технологий оперативная память постоянно усовершенствовалась: увеличивались ее объем и производительность. Современный тип ОЗУ DDR3 является модернизированной версией своего «предка», который пришел на смену оперативной памяти типа DIMM в далеких 90-х годах.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Внимание! Модули памяти типа DDR2 и DDR3 не совместимы и не взаимозаменяемы по механическим и электротехническим показателям. Защита от установки планки оперативной памяти в несоответствующий слот (разъем) реализована за счет расположения ключа в разных местах модуля.

Особенности оперативной памяти DDR3

Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:

• DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;
• DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;
• DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;
• DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.

Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц. Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е. радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.

Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.

Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.

Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства. Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в , сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Внимание! В начале 2012 года на рынке появилась разновидность данной модификации оперативно-запоминающего устройства DDR3L-RS, она специально разработана под смартфоны.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Как выбрать оперативную память: видео